onsemi IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 165 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
166-2176
Herst. Teile-Nr.:
FGP20N60UFDTU
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

40 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

165 W

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.67 x 4.83 x 16.51mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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