IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 450 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-4761
- Herst. Teile-Nr.:
- IXDN55N120D1
- Marke:
- IXYS
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- Marke:
- IXYS
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- US
Produktdetails
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 450 W |
| Gehäusegröße | SOT-227B |
| Montage-Typ | SMD |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 4 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
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