IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 450 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-4761
- Herst. Teile-Nr.:
- IXDN55N120D1
- Marke:
- IXYS
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 168-4761
- Herst. Teile-Nr.:
- IXDN55N120D1
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 450 W | |
| Gehäusegröße | SOT-227B | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 38.2 x 25.07 x 9.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 450 W | ||
Gehäusegröße SOT-227B | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 38.2 x 25.07 x 9.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- Ursprungsland:
- US
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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