Infineon IGBT-Modul / 95 A ±20V max., 650 V 275 W, 37-Pin EASY2B N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-8773
- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 168-8773
- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 95 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 275 W | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Kollektor | |
| Gehäusegröße | EASY2B | |
| Montage-Typ | PCB-Montage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 37 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig | |
| Abmessungen | 56.7 x 48 x 12mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 95 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 275 W | ||
Konfiguration Gemeinsamer Kollektor | ||
Gehäusegröße EASY2B | ||
Montage-Typ PCB-Montage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 37 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration 3-phasig | ||
Abmessungen 56.7 x 48 x 12mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN