Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 429 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
170-2259
Herst. Teile-Nr.:
IHW40N120R3FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

429 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Nennleistung

2.02mJ

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Infineon IGBT


Der Infineon IGBT ist ein 3-poliger N-Kanal TO-247-Transistor für Durchgangsbohrungen. Er hat einen Nennstrom von 80 A und eine Nennspannung von 1200 V, 3. Generation, verpolter IGBT, optimiert für geringere Schalt- und Leitungsverluste. Sein weiches Schaltverhalten ermöglicht eine bessere Leistung und ein besseres EMI-Verhalten. Mit Hilfe dieses Transistors kann eine ausgezeichnete Leistung bei niedrigeren Kosten erreicht werden.

Eigenschaften und Vorteile


• Klassenbeste Leitungseigenschaften in V CE (sat) und V f
• Kosteneffizient
• Ausgezeichnete Wärmeleistung
• Hohe Effizienz
• Hohe Zuverlässigkeit gegen Peak Currents
• Niedrige EMI-Filteranforderungen
• Geringe Schaltverluste
• Die maximale Verlustleistung beträgt 429 W
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 175 °C.
• Reduzierte Verlustleistung
• Überspannungsfestigkeit
• T j (max.) beträgt 175 °C.

Anwendungen


• Haushaltsgeräte
• Induktionskochöfen
• Industrielle Antriebe
• Mikrowellenherde
• Reiskocher
• UPS
• Schweißgeräte

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007