ROHM IGBT / 40 A 30V max., 650 V 161 W, 3+Tab-Pin TO-262 P-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 171-5627
- Herst. Teile-Nr.:
- RGT40NS65DGC9
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 171-5627
- Herst. Teile-Nr.:
- RGT40NS65DGC9
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 30V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 161 W | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | P | |
| Pinanzahl | 3+Tab | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.1 x 4.5 x 9mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Kapazität | 1070pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 40 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. 30V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 161 W | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ P | ||
Pinanzahl 3+Tab | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.1 x 4.5 x 9mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Kapazität 1070pF | ||
ROHM-IGBT-Produkte werden dazu beitragen, einen hohen Wirkungsgrad und ein breites Spektrum an Hochspannungs- und Hochstromanwendungen zu erreichen.
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie)
Bleifreie Beschichtung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie)
Bleifreie Beschichtung