IXYS IGBT / 30 A ±20V max. Dual, 600 V, 5-Pin ISOPLUS-I4-PAC N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
177-5344
Herst. Teile-Nr.:
FII30-06D
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

30 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

ISOPLUS-I4-PAC

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

5

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

19.91 x 5.03 x 20.88mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

IGBT-Module IXYS



IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.