Teile-Nr.

ROHM IGBT / 15 A ±30V max., 1,65 V 133 W, 3-Pin LPDS N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 178-0488
Herst. Teile-Nr.:: RGT30NS65DGTL
Marke:: ROHM

ROHM IGBT / 15 A ±30V max., 1,65 V 133 W, 3-Pin LPDS N-Kanal

Nicht verfügbar

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RS Best.-Nr.:: 178-0488
Herst. Teile-Nr.:: RGT30NS65DGTL
Marke:: ROHM

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Dauer-Kollektorstrom max.	15 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1,65 V
	Gate-Source Spannung max.	±30V
	Anzahl an Transistoren	1
	Verlustleistung max.	133 W
	Gehäusegröße	LPDS
	Montage-Typ	SMD
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Schaltgeschwindigkeit	1MHz
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Abmessungen	10.1 x 9 x 4.5mm
	Betriebstemperatur min.	–40 °C
	Gate-Kapazität	780pF
	Betriebstemperatur max.	+175 °C

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Dauer-Kollektorstrom max. 15 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1,65 V
	Gate-Source Spannung max. ±30V
	Anzahl an Transistoren 1
	Verlustleistung max. 133 W
	Gehäusegröße LPDS
	Montage-Typ SMD
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Schaltgeschwindigkeit 1MHz
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Abmessungen 10.1 x 9 x 4.5mm
	Betriebstemperatur min. –40 °C
	Gate-Kapazität 780pF
	Betriebstemperatur max. +175 °C

Datasheet

Ursprungsland:: JP

ROHM-IGBT-Produkte werden dazu beitragen, einen hohen Wirkungsgrad und ein breites Spektrum an Hochspannungs- und Hochstromanwendungen zu erreichen.

Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie)
Bleifreie Beschichtung