Vishay MOSFET

Der Vishay IRF710S ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 400 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über ein D2PAK-Gehäuse (TO-263). Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 3,6 Ohm bei 10 VGS. Maximaler Drain-Strom: 2 A.

Oberflächenmontage
Erhältlich auf Band und Rolle
Dynamische dv/dt-Bewertung