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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	DiodesZetex
	Dauer-Kollektorstrom max.	100 A, 200 A (Impuls)
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Anzahl an Transistoren	1
	Verlustleistung max.	375 W
	Gehäusegröße	TO-247
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Abmessungen	16.26 x 5.31 x 21.46mm
	Betriebstemperatur min.	–40 °C
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Gate-Kapazität	4453pF

	Alle auswählen
	Marke DiodesZetex
	Dauer-Kollektorstrom max. 100 A, 200 A (Impuls)
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Anzahl an Transistoren 1
	Verlustleistung max. 375 W
	Gehäusegröße TO-247
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Abmessungen 16.26 x 5.31 x 21.46mm
	Betriebstemperatur min. –40 °C
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Gate-Kapazität 4453pF

Datasheet DGTD65T50S1PT

Ursprungsland:: CN

Das Modell DGTD65T50S1PT basiert auf der Feldstopp-Trench-IGBT-Technologie und bietet daher ausgezeichnete Qualität und hohe Schaltleistung.

Hohe Schaltgeschwindigkeit & geringer Leistungsverlust
VCE(sat) = 1,85V @ IC = 50A
Hohe Eingangsimpedanz
trr = 80 ns (typ) @ diF/dt = 1000 A/μs
Eoff = 0,55mJ @ TC = 25 °C
Maximale Verbindungstemperatur 175 °C
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
UPS
Schweißgerät
Solarwechselrichter
Induktionskocher

DiodesZetex IGBT / 100 A, 200 A (Impuls) ±20V max., 650 V 375 W, 3-Pin TO-247