DiodesZetex IGBT / 80 A, 160 A (Impuls) ±20V max., 1200 V 357 W, 3-Pin TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
182-7190
Herst. Teile-Nr.:
DGTD120T40S1PT
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A, 160 A (Impuls)

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

357 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

16.26 x 5.31 x 21.46mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Gate-Kapazität

6030pF

Ursprungsland:
CN
Das Modell DGTD120T40S1PT basiert auf der Feldstopp-Trench-IGBT-Technologie und bietet daher niedrige VCE(sat), ausgezeichnete Qualität und hohe Schaltleistung.

Hohe Schaltgeschwindigkeit & geringer Leistungsverlust
VCE(sat) = 2,0 V @ IC = 40A
Hohe Eingangsimpedanz
rr = 100 ns (Typ) @ diF/dt = 200 A/μs
Extrem weiche, antiparallel geschaltete Diode mit kurzer Erholzeit
Extrem niedrige VF-Verteilungssteuerung
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Motorantrieb
UPS
Solarwechselrichter
Induktionskocher