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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Dauer-Kollektorstrom max.	144 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±30V
	Anzahl an Transistoren	1
	Verlustleistung max.	404 W
	Gehäusegröße	TO-247N
	Montage-Typ	THT
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Abmessungen	16 x 5 x 21mm
	Betriebstemperatur min.	–40 °C
	Nennleistung	119.3mJ
	Betriebstemperatur max.	175 °C
	Gate-Kapazität	184pF

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Dauer-Kollektorstrom max. 144 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±30V
	Anzahl an Transistoren 1
	Verlustleistung max. 404 W
	Gehäusegröße TO-247N
	Montage-Typ THT
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Abmessungen 16 x 5 x 21mm
	Betriebstemperatur min. –40 °C
	Nennleistung 119.3mJ
	Betriebstemperatur max. 175 °C
	Gate-Kapazität 184pF

Datasheet RGTVX6TS65DGC11

Ursprungsland:: TH

RGTVX6TS65D ist ein IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, geeignet für Leistungsfaktorkorrektur, Solarwechselrichter, UPS, Schweißen, IH-Anwendungen.

Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Hohe Schaltgeschwindigkeit & geringer Schaltverlust
Kurzschlusswiderstandszeit: 2 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für weiche Wiederherstellung
Bleifreie Beschichtung

ROHM IGBT / 144 A ±30V max., 650 V 404 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal