- RS Best.-Nr.:
- 185-1008
- Herst. Teile-Nr.:
- RGTV00TS65GC11
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- RGTV00TS65GC11
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
RGTV00TS65 ist ein IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, geeignet für PFC-, Solarwechselrichter-, USV-, Schweißen-, IH-Anwendungen.
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringer Schaltverlust
Kurzschlusswiderstandszeit: 2 μs
PB - kostenloses Kabelplättchen, RoHS-konform
Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringer Schaltverlust
Kurzschlusswiderstandszeit: 2 μs
PB - kostenloses Kabelplättchen, RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 95 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
Gate-Source Spannung max. | ±30V |
Verlustleistung max. | 276 W |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 16 x 5 x 21mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Gate-Kapazität | 2890pF |
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