ROHM IGBT / 33 A ±30V max. , 650 V 76 W, 3-Pin TO-3PFM

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RS Best.-Nr.:
185-1014
Herst. Teile-Nr.:
RGTV60TK65DGVC11
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Dauer-Kollektorstrom max.

33 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±30V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

76 W

Gehäusegröße

TO-3PFM

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

16 x 5 x 21mm

Gate-Kapazität

1730pF

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Ursprungsland:
TH
RGTV60TK65D ist ein IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, geeignet für PFC, Solarwechselrichter, USV, Schweißen, IH-Anwendungen.

Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringer Schaltverlust
Kurzschlusswiderstandszeit: 2 μs
Integrierte FRD für sehr schnelle und weiche Recovery
PB - kostenloses Kabelplättchen, RoHS-konform