onsemi IGBT / 120 A ±25V max., 1200 V 517 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
186-1455
Herst. Teile-Nr.:
FGY60T120SQDN
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

120 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±25V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

517 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Gate-Kapazität

7147pF

Betriebstemperatur max.

+175 °C

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Dieser Bipolartransistor (IGBT) mit isoliertem Gatter verfügt über eine robuste und kostengünstige Ultra Field Stop Trenche-Konstruktion und bietet eine überlegene Leistung in anspruchsvollen Schaltanwendungen, die sowohl niedrige Spannung als auch minimale Schaltverluste bietet. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.

Extrem effizienter Graben mit Ultra Field Stop Technology
TJmax = 175 °C
Soft Fast Reverse Recovery-Diode
Optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltung
Dies sind Pb-freie Geräte
Anwendungen
Solarwechselrichter
EV-Ladestation
Endprodukte
Industrieausführung