onsemi IGBT-Modul ±20V max., 1200 V 186 W, 22-Pin Q0BOOST N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 195-8771
Herst. Teile-Nr.:: NXH100B120H3Q0STG
Marke:: onsemi

onsemi IGBT-Modul ±20V max., 1200 V 186 W, 22-Pin Q0BOOST N-Kanal

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Herst. Teile-Nr.:: NXH100B120H3Q0STG
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Datasheet NXH100B120H3Q0STG

Eigenschaft	Wert
Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
Gate-Source Spannung max.	±20V
Verlustleistung max.	186 W
Konfiguration	Dual
Gehäusegröße	Q0BOOST
Montage-Typ	SMD
Channel-Typ	N
Pinanzahl	22
Transistor-Konfiguration	Dual
Abmessungen	66.2 x 32.8 x 11.9mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–40 °C

onsemi IGBT-Modul ±20V max., 1200 V 186 W, 22-Pin Q0BOOST N-Kanal

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