Infineon IGBT-Modul ±20.0V max. 12-fach, 650 V Easypack 2B N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
201-2806
Herst. Teile-Nr.:
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20.0V

Anzahl an Transistoren

12

Gehäusegröße

Easypack 2B

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Das Infineon 40 A, 650 V dreistufiges NPC1-Vollbrücken-IGBT-Modul mit Schottky-Diode 650 V Betriebsspannung. Dieses Modul hat eine kompakte Bauweise und kann in Motorsteuerung und Antrieben, unterbrechungsfreier Stromversorgung (USV) und Lösungen für Solarenergiesysteme verwendet werden.

Presssitz-Kontakttechnologie
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Robuste Montage