Infineon IGBT-Modul ±20.0V max. 12-fach, 650 V Easypack 2B N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 201-2806
- Herst. Teile-Nr.:
- FS3L40R07W2H5FB11BOMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 201-2806
- Herst. Teile-Nr.:
- FS3L40R07W2H5FB11BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20.0V | |
| Anzahl an Transistoren | 12 | |
| Gehäusegröße | Easypack 2B | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20.0V | ||
Anzahl an Transistoren 12 | ||
Gehäusegröße Easypack 2B | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Das Infineon 40 A, 650 V dreistufiges NPC1-Vollbrücken-IGBT-Modul mit Schottky-Diode 650 V Betriebsspannung. Dieses Modul hat eine kompakte Bauweise und kann in Motorsteuerung und Antrieben, unterbrechungsfreier Stromversorgung (USV) und Lösungen für Solarenergiesysteme verwendet werden.
Presssitz-Kontakttechnologie
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Robuste Montage
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Robuste Montage
