Teile-Nr.

STMicroelectronics IGBT ±30V max. , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 201-4418P
Herst. Teile-Nr.:: STGWA30HP65FB2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT ±30V max. , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 201-4418P
Herst. Teile-Nr.:: STGWA30HP65FB2
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	STMicroelectronics
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±30V
	Verlustleistung max.	167 W
	Anzahl an Transistoren	1
	Gehäusegröße	To-247 lange Leitungen
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Serie

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	Marke STMicroelectronics
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±30V
	Verlustleistung max. 167 W
	Anzahl an Transistoren 1
	Gehäusegröße To-247 lange Leitungen
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Serie

Datasheet - STGWA30HP65FB2

Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 30 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen, hat einen positiven VCE(sat)-Temperaturkoeffizienten.

Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand