STMicroelectronics IGBT / 30 A, 650 V 260 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 202-5515P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (geliefert in Stange)*
138,60 €
(ohne MwSt.)
164,95 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | 2,772 € |
| 125 + | 2,63 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5515P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 260W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Serie | STG | |
| Länge | 15.9mm | |
| Breite | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 260W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 5.1mm | ||
Serie STG | ||
Länge 15.9mm | ||
Breite 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie STMicroelectronics HB wurde mit einer Advanced-eigenen Trench Gate Fieldstop-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der neuen Serie HB von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitfähigkeit und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad jedes Frequenzumrichters zu maximieren.
Niedriger Wärmewiderstand
Sehr schnelle antiparallele Diode mit weicher Erholung