STMicroelectronics IGBT / 86 A, 650 V 272 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
204-3944P
Herst. Teile-Nr.:
STGWA50HP65FB2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

86A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

272W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.1mm

Serie

STG

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

21.1 mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 650-V-IGBT der STMicroelectronics HB2-Serie stellt eine Weiterentwicklung der Advanced-eigenen Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert. Eine Diode, die nur zu Schutzzwecken verwendet wird, ist antiparallel zum IGBT verpackt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung der Effizienz für eine Vielzahl von schnellen Anwendungen entwickelt wurde.

Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C.

Co-Packaged-Schutzdiode

Minimierter Endstrom

Enge Parameterverteilung

Niedriger Wärmewiderstand

Positiver Temperaturkoeffizient