STMicroelectronics IGBT / 40 A, 650 V 45 W, 3-Pin TO-220FP Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 204-9872P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF20H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
17,78 €
(ohne MwSt.)
21,16 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 20 | 1,778 € |
| 25 + | 1,744 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-9872P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF20H65DFB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | STG | |
| Breite | 16.4 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie STG | ||
Breite 16.4 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A
Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand