STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 108 W, 4-Pin TO-247

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

119,70 €

(ohne MwSt.)

142,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 303,99 €119,70 €
60 - 1203,886 €116,58 €
150 - 2703,786 €113,58 €
300 +3,691 €110,73 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
206-6065
Herst. Teile-Nr.:
STGWA30IH65DF
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

60 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

108 W

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

4

Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.

Nur für weiche Kommutierung konzipiert
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Diode mit niedrigem Spannungsabfall und Freilauf in kopaketiertem Gehäuse
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

Verwandte Links