STMicroelectronics IGBT / 115 A, 650 V 357 W, 4-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
206-8629P
Herst. Teile-Nr.:
STGW75H65DFB2-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

115A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

357W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

4

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.9mm

Höhe

5.1mm

Breite

21.1 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

STG

Automobilstandard

Nein

Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.

Niedriger VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A

Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse

Minimierter Endstrom

Enge Parameterverteilung

Niedriger Wärmewiderstand

Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

Ausgezeichnete Schaltleistung dank des extra treibenden Kelvin-Stifts

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