Mitsubishi IGBT-Modul / 100 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 207-4954
- Herst. Teile-Nr.:
- CM100DY-24T #300G
- Marke:
- Mitsubishi Electric
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- Marke:
- Mitsubishi Electric
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Mitsubishi Electric | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Konfiguration | Dual | |
| Montage-Typ | PCB-Montage | |
| Channel-Typ | N | |
| Transistor-Konfiguration | Zweifach-Halbbrücke | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Mitsubishi Electric | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Konfiguration Dual | ||
Montage-Typ PCB-Montage | ||
Channel-Typ N | ||
Transistor-Konfiguration Zweifach-Halbbrücke | ||
Das Mitsubishi Electric 1200 V zweifache IGBT-Modul verfügt über einen flachen Sockel und sechs Treiber pro Modul. Er hat einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 100 A und ist für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Wechselrichter, Motorsteuerung und industrielle Antriebe geeignet.
Terminal mit verzinntem Stift
Verwendete Kupfergrundplatte
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Verwendete Kupfergrundplatte
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
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