Mitsubishi Electric IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 850 W Modul Typ N-Kanal Leiterplattenmontage
- RS Best.-Nr.:
- 207-4960
- Herst. Teile-Nr.:
- CM150TX -24T #300G
- Marke:
- Mitsubishi Electric
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Mitsubishi Electric | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 150A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 850W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.95V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | CM150TX -24T | |
| Länge | 122mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Mitsubishi Electric | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 150A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 850W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.95V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie CM150TX -24T | ||
Länge 122mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Mitsubishi Electric 1200 V IGBT-Modul verfügt über einen flachen Sockel und sechs Treiber pro Modul mit IGBT-Unterbrechung. Er hat einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 100 A und ist für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Wechselrichter, Motorsteuerung und industrielle Antriebe geeignet.
Terminal mit verzinntem Stift
Verwendete Kupfergrundplatte
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
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