Infineon IGBT / 85 A, 650 V 227 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6634P
Herst. Teile-Nr.:
IGW30N65L5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

85A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

LowVCE(sat) Fifth Generation

Normen/Zulassungen

Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation von Infineon mit niedriger Sättigungsspannung.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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