Infineon IGBT / 40 A ±20 V, ±25 V max., 1350 V 310 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6636P
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N135R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 25 Stück (geliefert in Stange)*
71,60 €
(ohne MwSt.)
85,20 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 215 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | 2,864 € |
| 50 - 120 | 2,672 € |
| 125 - 245 | 2,512 € |
| 250 + | 2,32 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6636P
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N135R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1350 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±25 V | |
| Verlustleistung max. | 310 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 40 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1350 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±25 V | ||
Verlustleistung max. 310 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der bipolare Infineon Reverse-leitfähige Isolier-Gate-Transistor mit monolithischer Gehäusediode bietet eine hohe Durchschlagsspannung von 1350 V.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen