Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6657P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKD15N60RATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 215-6657P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKD15N60RATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und integrierter Diode in Gehäusen bietet einen platzsparenden Vorteil.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen