Infineon IGBT-Modul / 45 A, 1200 V 215 W, 13-Pin EASY1B Typ N-Kanal Klemme
- RS Best.-Nr.:
- 218-4319
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L25R12W1T4B27BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 45A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 215W | |
| Gehäusegröße | EASY1B | |
| Montageart | Klemme | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 13 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 62.8 mm | |
| Länge | 56.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | F3L | |
| Höhe | 12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 45A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 215W | ||
Gehäusegröße EASY1B | ||
Montageart Klemme | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 13 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.25V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 62.8 mm | ||
Länge 56.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie F3L | ||
Höhe 12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon EasyPack 3-stufige Phasenbein-IGBT-Modul mit Trench/Fieldstop IGBT4-, NTC- und Pressfit-Kontakttechnologie. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V. Er wird hauptsächlich in Solaranwendungen eingesetzt.
Kompaktes Modulkonzept
Optimierte Entwicklungszykluszeit und -kosten des Kunden
Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen
Flexibilität bei der Konfiguration
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