Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
218-4331
Herst. Teile-Nr.:
FF1800R12IE5PBPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

1,8 kA

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Anzahl an Transistoren

2

Verlustleistung max.

20 mW

Konfiguration

Dual

Gehäusegröße

Prime3+

Channel-Typ

N

Pinanzahl

10

Transistor-Konfiguration

Dual

Das Infineon PrimePACK Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT5- und .XT-Verbindungstechnologie. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1800 V. Die N-Kanal Trenchstop- und Feldstop-IGBT-Module sind für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Hochleistungswandler, USV-System, Motorantriebe und Solaranwendungen geeignet.

Kupferverbindungen für hohe Strombelastbarkeit
Sintern von Chips für höchste Leistungszyklusfähigkeiten
Gesamtverluste um bis zu 20 % reduziert
Geringerer Kühlaufwand für gleiche Ausgangsleistung
Ermöglicht höhere Systemüberlastbedingungen

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