Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal Klemme
- RS Best.-Nr.:
- 218-4359P
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12KT4PBPSA1
- Marke:
- Infineon
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- FP75R12KT4PBPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gehäusegröße | EASY2B | |
| Montageart | Klemme | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 122mm | |
| Breite | 62.5mm | |
| Höhe | 17mm | |
| Serie | FP75 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gehäusegröße EASY2B | ||
Montageart Klemme | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 122mm | ||
Breite 62.5mm | ||
Höhe 17mm | ||
Serie FP75 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon EasyPIM dreiphasige Eingangs-IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4-Technologie. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen Durchlassstrom von 75 A. Er wird in Servomotoren und Motorsteuerungen und Antrieben verwendet.
Kompaktes Modulkonzept
Optimierte Entwicklungszykluszeit und -kosten des Kunden
Hohe Zuverlässigkeit und Leistungsdichte
Kupfergrundplatte für optimierte Wärmeverteilung
Niedrige Schaltverluste
Hohe Schaltfrequenz
Flexibilität bei der Konfiguration
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