Infineon IGBT / 40 A, 1200 V 500 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 218-4401P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N120CS6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 120 | 3,952 € |
| 125 + | 3,656 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 218-4401P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N120CS6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | IKW40N120CS6 | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie IKW40N120CS6 | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon High-Speed-IGBT6 mit harter Schaltung Trenchstop ist mit einer weichen und schnellen Rückgewinnungsdiode mit Vollstrom gegen Parallelbetrieb in einem TO-247-Gehäuse ausgestattet und wurde entwickelt, um den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten zu erreichen. Es wird in industriellen Heizungs- und Schweißanlagen sowie in USV-Systemen eingesetzt.
Niedrigste Verluste bei IGBT, hoher Systemwirkungsgrad für höhere Ausgangsleistung
Schneller und einfacher Austausch der Vorgänger-H3-Technologie
Hohe Gerätezuverlässigkeit und voraussichtliche Lebensdauer