Infineon IGBT ±20V max., 650 V 210 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 225-0573
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N65R6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 225-0573
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N65R6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 210 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 210 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der Infineon IHW40N65R6 ist der 650-V-, 40-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.
Frequenzbereich: 20-75 kHz
Geringe elektromagnetische Störungen
Sehr enge Parameter Verteilung
Maximaler TJ-Betrieb von 175 °C.
Geringe elektromagnetische Störungen
Sehr enge Parameter Verteilung
Maximaler TJ-Betrieb von 175 °C.
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