Infineon IGBT / 450 A 20V max. Dual, 3300 V 1 mW, 3-Pin XHP N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 226-6055
- Herst. Teile-Nr.:
- FF450R33T3E3BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- FF450R33T3E3BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 450 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 3300 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Verlustleistung max. | 1 mW | |
| Gehäusegröße | XHP | |
| Konfiguration | Dual | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 450 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 3300 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Verlustleistung max. 1 mW | ||
Gehäusegröße XHP | ||
Konfiguration Dual | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Das Infineon FF450R33T3E3 Dual-IGBT-Modul verfügt über eine hohe Gleichstromstabilität und hohe Kurzschlussfestigkeit mit hoher Zuverlässigkeit und langer Lebensdauer. Er hat eine niedrige Induktivität und reduzierte Systemkosten.
Geringe VCEsat
Unschlagbare Robustheit
TVJ op 150 °C
VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient
Unschlagbare Robustheit
TVJ op 150 °C
VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient
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