Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 25 A, 650 V 32.5 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6080P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKA10N65ET6XKSA2
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IKA10N65ET6XKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 25A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 32.5W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 25A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 32.5W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IKA10N65ET6 bietet eine gute Wärmeleistung, insbesondere bei höheren Frequenzen und erhöhter Designmarge und Zuverlässigkeit. Es ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Rapid Diode.
Sehr niedriger VCE(sat) 1,5 V (typ.)
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Low Gate-LadeQG
Bleifreie KabelplattenRoHS-konform