Infineon IGBT / 62 A, 650 V 188 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6105P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP39N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 226-6105P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP39N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 62A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | IKP39N65ES5 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 62A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie IKP39N65ES5 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IKP39N65ES5 hat die höchste Leistungsdichte in TO-220-Abmessungen und benötigt keine Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.
Sehr niedriger VCEsat von 1,45 V bei 25 °C
4-facher Ic-Impulsstrom (100 °C Tc)
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.
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