Infineon IGBT / 62 A 30V max. , 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 226-6105P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP39N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 226-6105P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP39N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 62 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 30V | |
| Verlustleistung max. | 188 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | PG-TO220 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 62 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. 30V | ||
Verlustleistung max. 188 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße PG-TO220 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Der Infineon IKP39N65ES5 hat die höchste Leistungsdichte in TO-220-Abmessungen und benötigt keine Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.
Sehr niedriger VCEsat von 1,45 V bei 25 °C
4-facher Ic-Impulsstrom (100 °C Tc)
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.
4-facher Ic-Impulsstrom (100 °C Tc)
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.