Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 160 A, 600 V 833 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6109P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ120N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 160A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 833W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 41.2mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Breite | 15.9mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 160A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 833W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 41.2mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Breite 15.9mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IKQ120N60T verfügt über einen 600 V hart schaltenden IGBT, diskret mit einer antiparallelen Diode, die eine höhere Systemleistungsdichte aufweist, die die gleiche thermische Leistung des Systems beibehalten und eine höhere Zuverlässigkeit mit verlängerter Lebensdauer des Geräts bietet.
35 % größerer aktiver Thermopadbereich für bis zu 20 % geringeren Wärmewiderstand R th(jh)
Erweiterter Kriechstrecke von 4,25 mm - 2 mm größer als TO-247
