Infineon IGBT / 74 A 30V max. , 650 V 255 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 226-6115P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | 2,988 € |
| 50 - 120 | 2,86 € |
| 125 - 245 | 2,736 € |
| 250 + | 2,546 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6115P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 74 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 30V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 255 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | PG-TO247 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 74 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. 30V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 255 W | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße PG-TO247 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der Infineon IKW40N65F5 ist ein 650-V-Hochgeschwindigkeits-IGBT mit harter Schaltgeschwindigkeit, der mit der Rapid-i-Dioden-Technologie zusammengeschaltet wird. Es hat eine höhere Leistungsdichte und verfügt über niedrige CoEs/EOSS.
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um Faktor 2
200 mV Reduzierung des VCEsat
Reduzierung der Schaltverluste um Faktor 2
200 mV Reduzierung des VCEsat