Infineon IGBT / 40 A, 650 V 140 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 232-6734P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH20N65WR6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 232-6734P
- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Länge | 21.1mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Serie | IKWH20N65WR6 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Länge 21.1mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Serie IKWH20N65WR6 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 20-A-Trenchstop-5-WR6-IGBT von Infineon ist in einem TO-247-3-HCC-Gehäuse mit hohem Kriechgang und Spiel erhältlich. Er ist speziell für PFC für RAC/CAC- und Schweißwechselrichteranwendungen optimiert. Das ausgezeichnete Preis-Leistungs-Verhältnis des WR6 IGBT ermöglicht den Zugriff auf die Hochleistungstechnologie auch für kostenempfindliche Kunden. WR6 bietet niedrigste VCEsat und ESW, was eine Schaltfrequenz von bis zu 75 kHz ermöglicht. WR6 IGBT ermöglichen außerdem eine zuverlässigere Bauweise mit den erhöhten Abständen und Kriechstrecken.
Monolithisch integrierte Diode
Niedrigste Schaltverluste
Verbesserte Zuverlässigkeit gegen Verschmutzung des Gehäuses
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