Infineon IGBT-Modul / 300 A Halbbrücke, 750 V 20 mW AG-EASY2B. Leiterplattenmontage

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RS Best.-Nr.:
234-4632
Herst. Teile-Nr.:
FF300R08W2P2B11ABOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

300A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

750V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gehäusegröße

AG-EASY2B.

Konfiguration

Halbbrücke

Montageart

Leiterplattenmontage

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.18V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, UL 94 VO module frame

Breite

53 mm

Länge

51mm

Höhe

16.4mm

Automobilstandard

AQG 324

Das IGBT-Modul von Infineon ist ein sehr kompaktes und flexibles Produkt, das eine integrierte Isolierung für den Hauptumrichter von Hybrid- und Elektrofahrzeugen bietet. Das Modul verwendet die Benchmark EDT2 IGBT-Generation für eine Sperrspannung von 750 V und eine IcN von 300 A. Der Chipsatz hat eine Benchmark-Stromdichte in Kombination mit Kurzschlussfestigkeit für einen zuverlässigen Wechselrichterbetrieb unter rauen Umgebungsbedingungen.

Flexibilität

Einfache Systemmontage

Einfache und kompakte Bauweise

Hohe Zuverlässigkeit

Vollständig qualifiziert und validiert für den Kfz-Bereich

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