Infineon IGBT-Modul / 825 A Dual, 3300 V 2400 kW AG-IHVB130
- RS Best.-Nr.:
- 236-5198
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 236-5198
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 825 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 3300 V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Verlustleistung max. | 2400 kW | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | AG-IHVB130 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 825 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 3300 V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Verlustleistung max. 2400 kW | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße AG-IHVB130 | ||
Das Infineon-IGBT-Modul mit Einfachschalter verfügt über Trenchstop ® IGBT4 und eine Emitter-gesteuerte 4-Diode. Dieses Modul verfügt über eine hohe Leistungsdichte und eine AlSiC-Grundplatte für erhöhte thermische Schaltleistung.
VCES beträgt 3300 V.
IC-Nom ist 825 A
ICRM ist 1650 A.
Es behält eine hohe Stromdichte bei
IC-Nom ist 825 A
ICRM ist 1650 A.
Es behält eine hohe Stromdichte bei
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