onsemi IGBT, 650 V 469 W, 3-Pin TO-247-3L Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 241-0736P
- Herst. Teile-Nr.:
- FGHL75T65LQDT
- Marke:
- onsemi
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- FGHL75T65LQDT
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 469W | |
| Gehäusegröße | TO-247-3L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 20.82 mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Serie | FGHL75T65LQDT | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 469W | ||
Gehäusegröße TO-247-3L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 20.82 mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Serie FGHL75T65LQDT | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der IGBT von ON Semiconductor mit 650 V, 75 A FS4 niedrig Vce(sat). Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Leitungsverluste
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