Infineon IGBT / 42 A 20V max. , 650 V 125 W TO-220-3

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
242-0978P
Herst. Teile-Nr.:
IGP20N65H5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

42 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

125 W

Gehäusegröße

TO-220-3

Konfiguration

Single

Der IGBT-Transistor von Infineon hat eine Durchbruchspannung von 650 V. Die maximale Sperrschichttemperatur des Transistors beträgt 175 °C.

Best-in-Class-Effizienz in Hard-Switching- und Resonanztopologien
Plug-and-Play-Ersatz von IGBTs der vorherigen Generation
Anwendbar in Solarwandlern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Schweißwandlern
Schaltfrequenzwandler im mittleren bis hohen Bereich