Infineon IGBT-Modul / 600 A, 1700 V 3350 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5882
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ600R17KE4HOSA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 600A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1700V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3350W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.3V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | ULapproved(E83335) | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 600A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1700V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3350W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.3V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen ULapproved(E83335) | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IGBT-Modul, max. Kollektor-Emitter-Spannung 1700 V, max. Kollektorstrom 600 A – FZ600R17KE4HOSA1
Dieses IGBT-Modul ist ein leistungsstarkes Halbleitergerät, das zum Schalten und Steuern großer Ströme und Spannungen in anspruchsvollen industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste Leistungsaufnahme und kontrollierte Gate-Drive-Eigenschaften erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 1700 V Blockierungsspannung bietet Hochspannungsfähigkeit für raue Systeme
• 600 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 3350 W Verlustleistung ermöglicht dauerhaftes Schalten mit hoher Leistung
• 2.3-V-Kollektor-Emitter-Sättigung reduziert Leitungsverluste
• Der Betriebsbereich von -40 °C bis 150 °C ermöglicht den Einsatz bei hohen Temperaturen
• Die Gate-Emitter-Bewertung von 20 V ermöglicht eine breite Gate-Toleranz
• 600 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 3350 W Verlustleistung ermöglicht dauerhaftes Schalten mit hoher Leistung
• 2.3-V-Kollektor-Emitter-Sättigung reduziert Leitungsverluste
• Der Betriebsbereich von -40 °C bis 150 °C ermöglicht den Einsatz bei hohen Temperaturen
• Die Gate-Emitter-Bewertung von 20 V ermöglicht eine breite Gate-Toleranz
Anwendungsbereich
• Geeignet für Mittelspannungs-Motorantriebssysteme
• Ideal für Hochleistungsumrichter und Wechselrichter
• Wird mit industriellen Traktionsstromversorgungen verwendet
• Kann für Leistungselektronikmodule im Mehrzweckbereich verwendet werden
• Geeignet für große USV- und industrielle Batteriesysteme
• Ideal für Hochleistungsumrichter und Wechselrichter
• Wird mit industriellen Traktionsstromversorgungen verwendet
• Kann für Leistungselektronikmodule im Mehrzweckbereich verwendet werden
• Geeignet für große USV- und industrielle Batteriesysteme
Wie hoch ist die maximale Spannung, der das Gerät standhalten kann?
Er hält einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung von 1700 V stand.
Wie viel Dauerstrom kann er bei längerem Gebrauch verarbeiten?
Das Modul ist für einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 600 A ausgelegt.
Welche Gate-Drive-Grenzwerte müssen beachtet werden?
Die absolute maximale Gate-Emitter-Spannung beträgt 20 V und sollte nicht überschritten werden.
Unter welchen thermischen Bedingungen kann er betrieben werden?
Der zulässige Betriebstemperaturbereich reicht von -40 °C bis 150 °C.
Wie viel Leistung kann es während des Betriebs ableiten?
Die maximale Verlustleistung beträgt 3350 W.
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