onsemi IGBT-Modul Quad 119 W F1-4PACK Presssitzstifte mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien (TIM)

Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Schale)*

119,61 €

(ohne MwSt.)

142,34 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 28 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
1 +119,61 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
245-6958P
Herst. Teile-Nr.:
NXH020F120MNF1PTG
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Anzahl an Transistoren

4

Verlustleistung max.

119 W

Gehäusegröße

F1-4PACK Presssitzstifte mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien (TIM) (bleifrei und halogenfrei)

Das on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET-Modul ist ein Leistungsmodul mit einer 20 m/1200 V SiC MOSFET-Vollbrücke und einem Thermistor in einem F1-Gehäuse.

SiC-MOSFET-Halbbrücke, 20 m/1200 V
Thermistor-Optionen mit vorinstalltem thermischem Schnittstellenmaterial und ohne voreingesetzte TIM
Pressstifte
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform