onsemi IGBT-Modul / 303 A ±20V max. Quad, 1000 V 592 W Q2PACK (bleifrei/halogenfrei)

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Schale mit 36 Stück)*

5.637,636 €

(ohne MwSt.)

6.708,78 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 36 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
36 +156,601 €5.637,64 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
245-6975
Herst. Teile-Nr.:
NXH350N100H4Q2F2S1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

303 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1000 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

4

Verlustleistung max.

592 W

Gehäusegröße

Q2PACK (bleifrei/halogenfrei)

Si/SiC-Hybridmodul - EliteSiC, I-Typ NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC-Diode, Q2-Gehäuse, Lötstifte


Das on Semiconductor Three Level NPC Q2 Pack Modul ist ein integriertes Leistungsmodul mit hoher Dichte, das leistungsstarke IGBTs mit robusten, antiparallelen Dioden kombiniert.

Äußerst effizienter Graben mit Feldstopp-Technologie
Geringe Schaltverluste reduzieren die Verlustleistung des Systems
Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte
Niedrige induktive Anordnung
Niedrige Gehäusehöhe
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei, BFR-frei und RoHS-konform

Verwandte Links