Infineon IGBT-Modul / 70 A ±20V max. Quad, 650 V 20 mW
- RS Best.-Nr.:
- 248-1200
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 248-1200
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 70 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Verlustleistung max. | 20 mW | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 70 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Verlustleistung max. 20 mW | ||
Infineon stellt dieses EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-Level IGBT Modul mit Trench/Fieldstop IGBT H3 und schneller Diode und PressFIT / NTC her. Dieses Gerät bietet einfaches, kompaktes Design und optimierte Leistung. Das Gerät bietet zusätzliche Vorteile wie erhöhte Sperrspannungsfähigkeit bis zu 650 V, niedrige Induktivität, geringe Schaltverluste und niedrige VCE,sat. Es verwendet ein Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieses Gerät bietet eine robuste Montage durch eine integrierte Montageklammer.
Bestes Preis-Leistungs-Verhältnis mit reduzierten Systemkosten
Hoher Freiheitsgrad beim Design und Einsatz der IGBT HighSpeed 3-Technologie
Höchste Effizienz und Leistungsdichte
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