Infineon IGBT-Modul, 650 V 20 mW Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 248-1202P
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 248-1202P
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | F3L150R07W2H3B11 | |
| Breite | 48mm | |
| Höhe | 12mm | |
| Länge | 56.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie F3L150R07W2H3B11 | ||
Breite 48mm | ||
Höhe 12mm | ||
Länge 56.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon stellt dieses EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-Level IGBT Modul mit Trench/Fieldstop IGBT H3 und schneller Diode und PressFIT / NTC her. Dieses Gerät bietet einfaches, kompaktes Design und optimierte Leistung. Das Gerät bietet zusätzliche Vorteile wie erhöhte Sperrspannungsfähigkeit bis zu 650 V, niedrige Induktivität, geringe Schaltverluste und niedrige VCE,sat. Es verwendet ein Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieses Gerät bietet eine robuste Montage durch eine integrierte Montageklammer. Dieses Gerät verwendet die IGBT HighSpeed 3-Technologie.
Bestes Preis-Leistungs-Verhältnis bei reduzierten Systemkosten
Hoher Freiheitsgrad im Design
Höchste Effizienz und Leistungsdichte