Infineon IGBT-Modul, 650 V 20 mW Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
248-1202P
Herst. Teile-Nr.:
F3L150R07W2H3B11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Anzahl an Transistoren

4

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Montageart

Durchsteckmontage

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

12mm

Breite

48 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

F3L150R07W2H3B11

Länge

56.7mm

Automobilstandard

Nein

Infineon stellt dieses EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-Level IGBT Modul mit Trench/Fieldstop IGBT H3 und schneller Diode und PressFIT / NTC her. Dieses Gerät bietet einfaches, kompaktes Design und optimierte Leistung. Das Gerät bietet zusätzliche Vorteile wie erhöhte Sperrspannungsfähigkeit bis zu 650 V, niedrige Induktivität, geringe Schaltverluste und niedrige VCE,sat. Es verwendet ein Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieses Gerät bietet eine robuste Montage durch eine integrierte Montageklammer. Dieses Gerät verwendet die IGBT HighSpeed 3-Technologie.

Bestes Preis-Leistungs-Verhältnis bei reduzierten Systemkosten

Hoher Freiheitsgrad im Design

Höchste Effizienz und Leistungsdichte

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