Bourns IGBT / 30 A ±20V max. , 600 V 230 W TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 253-3507P
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDW30N60T
- Marke:
- Bourns
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Produktdetails
Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Außerdem ergibt diese Struktur einen geringeren Wärmewiderstand R(th).
600 V, 30 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
RoHS-konform
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 230 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Konfiguration | Einfachdiode |