Teile-Nr.

Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

RS Best.-Nr.:: 253-9821
Herst. Teile-Nr.:: FP100R12N3T7B11BPSA1
Marke:: Infineon

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RS Best.-Nr.:: 253-9821
Herst. Teile-Nr.:: FP100R12N3T7B11BPSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	20mW
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Serie	FP100R12N3T7_B11
	Länge	122mm
	Höhe	17mm
	Breite	62.5 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 20mW
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Serie FP100R12N3T7_B11
	Länge 122mm
	Höhe 17mm
	Breite 62.5 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FP100R12N3T7B11BPSA1

Die Serie FP100 von Infineon ist ein EconoPIM 3-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT oder NTC.

Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Hohe Leistungs- und Wärmezyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Sockelplatte PressFIT-Kontakttechnologie

Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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