Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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RS Best.-Nr.:
253-9835P
Herst. Teile-Nr.:
FP50R12N2T7PBPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

FP50R12N2T7PB

Breite

45mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

107.5mm

Höhe

17mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon FP50-Serie ist ein EconoPIM 2-Modul mit IGBT7 und emittergesteuerter Diode sowie NTC- oder vorinstalliertem thermischem Schnittstellenmaterial.

Überlastbetrieb bis zu 175 °C Hohe Leistungs- und thermische Zyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Sockelplatte Vorkonfektioniertes thermisches Schnittstellenmaterial Lötkontakttechnologie

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